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2022年09月13日

高性能准谐振开关电源控制芯片DK212成熟型方案替换亚成微

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高性能准谐振开关电源控制芯片DK212成熟型方案替换亚成微来源:深圳市钲铭科电子公司日期:内置 PWM 准谐振电路,增加电源转换效率和保证良好的 EMC 特性。 过温、过流、过压以及输出短路,次级开路,光耦失效电钻保护。 4KV 防静电 ESD 测试。

高性能准谐振开关电源控制芯片DK212成熟型方案替换亚成微 高性能准谐振开关电源控制芯片DK212 是一款符发电机组合 6 级能效标准的次级反馈,反激式 AC-DC 高性能形状奇怪等型材的小脚准谐振开关电源控制芯片。芯片内置高压功率管,芯片内还包含有准谐振检测、SLEEP   超低待机、自供电等电路,并具有输出短路、次级开路、过温、过压等保护功能。芯片采用高集成度的 CMOS  电路设计,具有外围元件极少,变压器成本低(隔离输出电路的变压器只需要两个绕组)等特点。 高性能准谐振开关电源控制芯片DK212产品特点

全电压输入 85V—265V。 内置 700V 功率管。 专利的自供电技术,变压器无需外部供电绕组, 无需启动电阻( 降低成品成本) 。 特有的 SLEEP 技术使芯片具有超低的待机功耗。 内置 PWM 准谐振电路,增加电源转换效率和保证良好的 EMC 特性。 过温、过流、过压以及输出短路,次级开路,光耦失效保护。 4KV 防静电 ESD 测试。 高性能准谐振开关电源控制芯片DK212应用领域 12W 以下 AC-DC 应用包括:电源适配器、充电器、电磁炉、空调、DVD、机顶盒等家 电产品。 极限参数 供电电压 VDD ………………………………………………………………… -0.3V--8V 供 电 电 流 VDD …………………………………………………………………. 100mA 引脚电压 ………………………………………………….....  -0.3V--VDD+0.3V 功 率 管 耐 压 ……润滑设备……………………………………………………... -0.3V--730V IS 最 大 电 压  ....……………………………………………………………… 400mV 总 耗 散 功 率  ………………………………………………………………1000mW 工作温度 ………………………………………………………. -25 ? C--+125 ? C 储存温度 ………………………………………………………. -55 ? C--+150 ? C 焊接温度 …………………………………………………………….+280 ? C/5S

高性能准谐振开关电源控制芯片DK212上电启动: 芯片内置高压启动电流源;上电启动时当      VDD       电压小于启动电压时,打开三极管对外部的 VDD  储能电容  C4  充电。当  VDD  电压达到启动电压  VCC_St ar t  的时候,关闭启动电流源, 启动过程结束,控制逻辑开始输出 PWM 脉冲并检测  I S  电阻,当  I S  接电阻  RS  对地时, 设定最大峰值电流 I p_Max=Vli m/ RS(Vli m   是 I C6  脚内部检测电压最大值) ;当 I S 脚直接接地时,设定最大峰值电流为 I p_Max=700mA ; 软启动: 上电启动结束后,为防止输出电压建立过程可能产生的变压器磁芯饱和,功率管和次级整流管应力过大,芯片内置软启动电路,在软启动时初级峰值电流最大为 0. 5 倍最大峰值电流。

高性能准谐振开关电源控制芯片DK212采用准谐振输出方式,当检测到 OC 谐振到最低电压时,开通 PWM 输出,打开开关管给电感充电,这样减小了开关管Czuba先生的报告将探讨几个案例研究的开关损耗,提高了电源的转换效率。 高性能准谐振开关电源控制芯片DK212FB 检测和反馈控制: Fb 引脚外部连接一只电容,以平滑Fb 电压,外接电容会影响到电路的反馈瞬态特性及电路的稳定工作,典型应用可在1nF~10nF 之间选拔动开关择;芯片依据FB电压控制PWM输出峰值电流和工作频率。 SLEEP 模式: 为实现超低待机功耗,芯片设计了 SLEEP 模式时,当输出功率逐渐下降到 50mW 以下时,芯片进入 SLEEP 模式。可以实现系统超低的待机功耗(

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